傳統的中頻爐♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，高頻機電力電源主要是電子管和快速晶閘管✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，IGBT是一種復合功率器件ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，
具有電壓型控制㊀㊁㊂㊃㊄㊅㊆㊇㊈㊉，輸入阻抗大☈⊙☉℃℉❅、驅動功率小⒜⒝⒞⒟⒠⒡⒢⒣⒤，控制電路簡單ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，開關損耗小✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，通斷速度快ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，工作頻率較高ⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸⅹⒶⒷⒸⒹ，元件容量大ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ，是感應加熱電源的發展方向⒔⒕⒖⒗⒘⒙⒚⒛ⅠⅡⅢⅣⅤⅥⅦⅧⅨⅩⅪⅫⅰⅱ。

（1）電源電路的基本結構 IGBT 中頻感應加熱設備 與晶閘管并聯逆變中頻電源電路結構相似ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，主要區別是逆變電路開關器件采用了IGBT器件而不是晶閘管ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，
但其功能是相似的웃유ღ♋♂。每只IGBT器件均串聯一只二極管㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂。由于IGBT器件不能承受反壓ⓣⓤⓥⓦⓧⓨⓩ，必需串聯二極管承擔反向阻斷功能❣❦❧♡۵。

    (2)電路的工作原理 其工作原理與晶閘管并聯逆變中頻電源相類似☈⊙☉℃℉❅，主要區別是IGBT器件的開關功能與晶閘管不同⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾。現將IGBT的開關原理先容如下ⒺⒻⒼⒽⒾⒿⓀⓁⓂⓃⓄⓅⓆⓇⓈⓉ。
IGBT可以看成是由輸入部門MOSFET管和輸出部門PNP三極管組成的半導體器件♦☜☞☝✍☚☛☟✌✽✾✿❁❃，或者是一個由MOSFET驅動的PNP晶體管⒃⒄⒅⒆⒇⒈⒉⒊⒋⒌⒍⒎⒏⒐⒑⒒⒓。當對IGBT器件柵極施加正向電壓時①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯，
柵極下方的P型反型成為N型導電溝道⑰⑱⑲⑳⓪⓿❶❷❸❹❺，MOSFET導通❋❀⚘☑✓✔√☐☒✗✘ㄨ✕✖✖⋆✢✣，電子電流進入N-層❻❼❽❾❿⓫⓬⓭⓮⓯⓰，給PNP晶體管提供正向基極電流ⓚⓛⓜⓝⓞⓟⓠⓡⓢ，IGBT導通✺ϟ☇♤♧♡♢♠♣♥，反之✤✥❋✦✧✩✰✪✫✬✭✮✯❂✡★✱✲✳✴，向柵極施加反向電壓♀☿☼☀☁☂☄，導電溝道消失㈧㈨㈩⑴⑵⑶⑷⑸⑹⑺⑻⑼⑽⑾⑿⒀⒁⒂，
PNP晶體管失去基極驅動電流ⓊⓋⓌⓍⓎⓏⓐⓑⓒⓓⓔⓕⓖⓗⓘⓙ，IGBT關斷①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑪⑫⑬⑭⑮⑯。柵極正⓱⓲⓳⓴⓵⓶⓷⓸⓹⓺⓻⓼⓽⓾、反向電壓由專門配備的驅動電路來提供웃유ღ♋♂。